896
Publisher info
Name:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Address:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Phone: +998 71 248 79 94
Email: ispm_uz@mail.ru
| Name | 2020, том 2, выпуск 1 | ||
| Journal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Volume Number | 2 | ||
| Published At | 25/02/2020 | ||
| Pages | 72 | ||
| Issue Number | 1 | ||
| Total number | 6 | ||
| File | |||
| The full name of the article | Language | Pages | View count | Read count |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 9-22 | 650 | 0 |
|
ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО СЕРОЙ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 17-27 | 571 | 0 |
|
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЛОКАЛИЗАЦИИ ДЫРОК В РЕШЕТКАХ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЛОКАЛИЗАЦИИ ДЫРОК В РЕШЕТКАХ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 23-30 | 529 | 0 |
|
ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА УРОВНИ ЛАНДАУ ЭЛЕКТРОНОВ В ЗОНЕ ПРОВОДИМОСТИ С ПАРАБОЛИЧЕСКИМ ЗАКОНОМ ДИСПЕРСИИ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 27-39 | 549 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 34-42 | 599 | 0 |