Главная
Журналы
Авторы
Статьи
Новости
Русский
O'zbek
Англиский
Авторизоваться
Статьи
Главная
Статьи
Заглавие
Авторы
Язык статьи
Просмотры
Чтения
SIMULATION OF PARAMETERS OF nGe- pSi1-XGeX DIODE STRUCTURES ON TCAD SENTAURUS
ZFTTDMIEJ
Saidov S..,
Asatova U.P.,
Ismailov ShK S.K.,
Usmonov S. .
Ingliz
743
718
ВАЖНЕЙШАЯ ЦЕЛЬ ИННОВАЦИОННОГО РАЗВИТИЯ – РОСТ КАЧЕСТВА И ПОВЫШЕНИЕ УРОВНЯ ЖИЗНИ НАРОДА
Инновацион технологиялар
Gulyamov S.S.
O'zbek
743
723
ИЛМ-ФАН ЮТУҚЛАРИ – ҚИШЛОҚ ХЎЖАЛИГИ ХИЗМАТИДА
O‘zQSX
Toirov A..
O'zbek
743
725
СОВРЕМЕННЫЕ ПРОБЛЕМЫ И РАЗРАБОТКА НОВОГО МЕТОДА ИЗМЕРЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Илмий хабарнома
Aliyev R..,
Rashidov B..,
Omonboyev F..
O'zbek
743
723
ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПРОДОЛЖЕНИЕ КУРСА НА МОДЕРНИЗАЦИЮ РЕСПУБЛИКИ КАРАКАЛПАКСТАН
Илмий хабарнома
Ametov T.A.
O'zbek
743
727
ESP КУРСЛАРИДА ТУРЛИ МАТЕРИАЛЛАР
O‘zbekistonda xorijiy tillar
AMINOVA Z.P.,
KHALILOVA O.A.
Ingliz
743
735
ВЛИЯНИЕ ФЛЮЕНСА БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ С КЛАСТЕРАМИ АТОМОВ НИКЕЛЯ
Илмий хабарнома
Kurbanov A.O.
O'zbek
743
732
ПАРАФРАЗАЛАР ВА УЛАРНИНГ ДЕРИВАЦИОН ХУСУСИЯТЛАРИ
O‘zbekistonda xorijiy tillar
SHODIYEV S..
O'zbek
743
735
«
195
196
197
198
199
200
201
202
203
204
»