1051
Nashriyot haqida ma'lumot
Nomi:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Manzil:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Telefon: +998 71 248 79 94
Elektron pochta: ispm_uz@mail.ru
| Nomi | 2019, Том 1, выпуск 3 | ||
| Jurnal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Tom raqami | 1 | ||
| Nashr etilgan sana | 26/06/2019 | ||
| Sahifalar | 76 | ||
| Bu yil bo'yicha nashr raqami | 3 | ||
| Umumiy soni | 6 | ||
| Fayl | |||
| Maqolaning to'liq nomi | Til | Sahifa | Ko'rishlar soni | O'qishlar soni |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 37-42 | 310 | 0 |
|
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ МОЛИБДЕНА Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 50-55 | 696 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 56-61 | 590 | 0 |
|
СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РАСТВОРА (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 62-67 | 718 | 0 |
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ СИЛОВЫХ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИЯ -КВАНТАМИ 60Сo Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 68-75 | 814 | 0 |